三大内存厂商遭集体诉讼，被控联手操纵DRAM价格与供应

全球三大内存（RAM）制造商Samsung、SK Hynix及Micron，近日遭到一项集体诉讼指控，被控联手操纵内存供应与价格。据报道，这起由个人及企业消费者代表所提出的集体诉讼指出，三家公司在媒体所称的「内存末日」（RAMageddon）现象中扮演了主要角色。

内存价格飙升与AI数据中心需求相关

近期内存成本急遽攀升，外界普遍将其归因于AI数据中心的庞大需求，多家主要供应商已与AI企业签署长期供货协议。

诉讼指控：减产DDR3／DDR4，转向高利润HBM

诉状指出，这三家公司几乎垄断了全球DRAM供应，被控联手操纵组件价格，同时缩减供应量。诉讼指控三家公司削减DDR3与DDR4内存的供应，导致使用这些规格的消费者承受价格大幅上涨，并将大部分产能转向HBM（高带宽内存）——一种主要供AI数据中心使用、成本高昂的3D堆叠式DRAM产品，而非面向一般消费者。

「这些DRAM寡头垄断企业同时削减产能、协调转向HBM并退出DDR3与DDR4市场，并以惊人的规模与速度持续缩减并锁定传统DRAM供应，同时大幅抬高价格。」

诉讼指控价格持续攀升期间厂商仍未增产

诉状进一步指出，随着DRAM短缺导致价格上涨，「Samsung、SK Hynix及Micron依然持续压缩传统DRAM供应，同时公开将资源投向单位芯片利润较低的HBM产品，部分情况下甚至直接放弃传统DRAM的供应渠道」。诉状也指出，这一策略确实奏效——「购买传统DRAM及搭载相关产品的消费者，被迫支付远高于竞争市场水平的价格，并因DRAM寡头垄断企业扭曲市场的行为而蒙受损失」。

诉状表示，在一个具备竞争性的市场中，「价格以这样的速度攀升，理应吸引供应跟进上涨」，因为三家厂商中至少应有一家会注意到价格上涨，进而决定将产能集中投入该产品，迫使竞争对手跟进，否则便会流失客户。「然而这种情况并未发生，」诉状指出。

诉讼称三大厂商垄断市场，新进者难以挑战

诉状主张，三家公司掌控了DRAM供应，使其他业者难以在现实中构成有效挑战，原因在于建造一座DRAM晶圆厂的成本可能高达数百亿美元，且需耗时数年才能完工。诉状也指出，即便有新公司试图挑战这三大巨头，能够稳定量产芯片所需的制程技术，也「凝聚了数十年累积的商业机密」，而美国出口管制规定也阻止了中国境内的其他厂商「取得现行世代的相关设备」。

「实际造成的结果是，当这三家公司限制供应时，没有任何外部业者能够扩大产能，以低价与其竞争。」

三家公司过去已有操纵价格的判例

诉讼还提到，这三家公司过去曾被认定存在DRAM价格操纵行为。早在2005年，Samsung便同意认罪，并支付3亿美元罚款，原因是参与了美国司法部当时所称的「操纵DRAM市场价格的国际共谋行为」。SK Hynix同样在当时认罪，被处以1.85亿美元罚款；而Micron据报因主动通报事件并配合检方调查，得以免于罚款。

诉状指出，这三家公司在2016年至2018年间价格再度飙升时，也曾遭中国政府调查。「本案所指控的行为，是同一市场、同一批厂商之间的第三次相同周期，」诉状写道。

游戏硬件价格已陆续受到波及

随着内存与存储成本持续上涨，几乎所有使用这些组件的厂商都已相应调涨产品售价。上周，微软将Xbox主机售价调涨100至150美元，Apple同日也全面调涨旗下硬件产品价格。在此之前，Valve已确认Steam Machine的零售价将超过1,000美元，并表示「Steam Machine最初设定的目标价格已不再可行」。